Cậu sinh viên khoa lý Us tham vọng lương tháng chịu đô

Cậu sinh viên khoa lý Us tham vọng lương tháng chịu đô Toy sinh viên khoa lý, sẽ quyết tâm dành học bổng 🫶

CƠ SỞ LINH KIỆN BÁN DẪN (Lớp CVD)>>>PN Junction 🍀Chúc các bạn thi tốt
05/07/2024

CƠ SỞ LINH KIỆN BÁN DẪN (Lớp CVD)
>>>PN Junction


🍀Chúc các bạn thi tốt

[ - VẬT LÝ CHẤT RẮN]NGÀY 5: Chương 6 - NĂNG LƯỢNG CỦA ĐIỆN TỬ TRONG TRƯỜNG TUẦN CỦA TINH THỂ 1. Đối chiếu giữa các tính...
05/07/2024

[ - VẬT LÝ CHẤT RẮN]
NGÀY 5: Chương 6 - NĂNG LƯỢNG CỦA ĐIỆN TỬ TRONG TRƯỜNG TUẦN CỦA TINH THỂ
1. Đối chiếu giữa các tính chất của cấu trúc tinh thể và chuyển động (bất kỳ) xảy ra trong tinh thể
2. Khái quát những lý thuyết được sử dụng để tìm hiểu nguyên lý hình thành vùng năng lượng
- Phép gần đúng electron
- Phép gần đúng liên kết mạnh
3. Khối lượng hiệu dụng 🌸
4. Phân biệt chất kim loại, điện môi và bán dẫn điện🌸
-----------------------------------------------------------------------------
✨✨✨
Xin chào mọi người, tài liệu này do mình tự soạn dựa vào giáo trình, slide của các thầy cô và các nguồn tham khảo trên internet. Với mục đích ban đầu là tự ôn luyện và mình chia ra từng buổi đăng lên page này để theo dõi quá trình học của mình.
Vì vậy, nếu tài liệu có SAI sót hay cần góp ý thì nhờ quý thầy/cô/anh/chị và các bạn cmt hoặc nhắn cho em với ạ. Xin cảm ơn mọi người

[ - VẬT LÝ CHẤT RẮN]NGÀY 4: Chương 6 - NĂNG LƯỢNG CỦA ĐIỆN TỬ TRONG TRƯỜNG TUẦN CỦA TINH THỂ 1. Đối chiếu giữa các tính...
03/07/2024

[ - VẬT LÝ CHẤT RẮN]
NGÀY 4: Chương 6 - NĂNG LƯỢNG CỦA ĐIỆN TỬ TRONG TRƯỜNG TUẦN CỦA TINH THỂ
1. Đối chiếu giữa các tính chất của cấu trúc tinh thể và chuyển động (bất kỳ) xảy ra trong tinh thể
2. Khái quát những lý thuyết được sử dụng để tìm hiểu nguyên lý hình thành vùng năng lượng
- Phép gần đúng electron
- Phép gần đúng liên kết mạnh 🎉
-----------------------------------------------------------------------------
✨✨✨
Xin chào mọi người, tài liệu này do mình tự soạn dựa vào giáo trình, slide của các thầy cô và các nguồn tham khảo trên internet. Với mục đích ban đầu là tự ôn luyện và mình chia ra từng buổi đăng lên page này để theo dõi quá trình học của mình.
Vì vậy, nếu tài liệu có SAI sót hay cần góp ý thì nhờ quý thầy/cô/anh/chị và các bạn cmt hoặc nhắn cho em với ạ. Xin cảm ơn mọi người🥰

[Cơ sở linh kiện bán dẫn]Fundamental of Semiconductor Devices CHUYỂN TIẾP PN (PN JUNCTIONPhần 2.1: Cấu trúc cơ bản của ...
28/06/2024

[Cơ sở linh kiện bán dẫn]
Fundamental of Semiconductor Devices

CHUYỂN TIẾP PN (PN JUNCTION

Phần 2.1: Cấu trúc cơ bản của tiếp giáp PN:
-----------------------------------------------------------------
⏩Về cơ bản, bán dẫn loại p được tạo ra bằng các pha tạp nguyên tố hóa trị III (acceptor) và pha tạp nguyên tố hóa trị V (donor) để tạo ra bán dẫn loại n. Hạt tải đa số của bán dẫn loại P là lỗ trống và của loại N là electron. Khi hai loại bán dẫn này được ghép vào nhau thì tạo thành một vật liệu gồm có 2 vùng: vùng N (N region) và vùng P (P region) và ở giữa hai vùng xuất hiện một “ranh giới” đó chính là tiếp giáp P - N (P-N Junction).

⏩Ở phần trước ta đã biết công nghệ planar chế tạo IC. Trên thực tế mật độ của các hạt tải ở vùng p và vùng n không đều, nên việc tính toán phân tích rất khó khăn. Vì vậy người ta đã đưa ra giả thiết để đơn giản hóa quá trình phân tích:
1. Chuyển tiếp PN loại bước (hình 1)
2. Mô hình điện tích không gian bước (hình 2)

[Có chú thích trong từng ảnh]

▫️▪️Hình thành vùng nghèo:
◾Khi hình thành tiếp giáp, các electron tự do của vùng N bắt đầu khuếch tán (hạt tải đi từ nơi có nồng độ cao sang nồng độ thấp) và lấp đầy các lỗ trống ở gần tiếp giáp của vùng P khi đó acceptor (chất pha tạp loại p) nhận electron tạo ra ion âm ở vùng p và tương tự các lỗ trống cũng khuếch tán qua vùng n, các donor (chất pha tạp loại n) mất electron tạo ra ion dương ỏ vùng n.

◾Điện tích ở hai bên tiếp giáp tạo nên một điện trường nội E, khi E đủ lớn sẽ ngăn cản sự khuếch tán của các hạt dẫn. Khi đó vùng này sẽ không còn hạt tải và được gọi là vùng nghèo (nghèo hạt dẫn) - depletion region.

⚠️Bài sau mình sẽ tìm hiểu kỹ hơn về vùng nghèo, sự hình thành vùng nghèo về mặt năng lượng và các công thức tính toán

----------
Nguồn:
yt: TaiLieuBachKhoa - Vật lý bán dẫn HCMUT
-----------
💬Tài liệu chỉ mang tính tham khảo, có thể có sai sót❤️

27/06/2024

[Cơ sở linh kiện bán dẫn]
Fundamental of Semiconductor Devices

CHUYỂN TIẾP PN (PN JUNCTION)

Phần 1: Sự hình thành chuyển tiếp PN
---------------------------------------
📒Như ta đã biết chất bán dẫn pha tạp gồm có 2 loại: loại P (hạt tải đa số là lỗ trống) và loại N (hạt tải đa số là điện tử (electron)). Khi ghép hai loại bán dẫn này lại với nhau ta được một tiếp giáp P - N, đó chính là Diode, nếu ta nối hai Diode với nhau tạo ra hai tiếp P-N, N-P hoặc N-P, P-N ta thu được Transistor (bóng bán dẫn) là tiền đề cho sự phát triển của các thiết bị điện tử ngày nay.

💽Một trong những công nghệ chế tạo tiếp giáp P - N được gọi là Quang khắc (Lithography) được thực hiện theo các bước như sau:

1️⃣ Oxidation: Oxy hóa bề mặt tấm wafer (tấm Si), tạo ra một lớp SiO2 trên toàn bộ bề mặt wafer
2️⃣Lithography:
- Sau khi tạo thành lớp SiO2, wafer được phủ bởi một vật liệu nhạy cảm với ánh sáng tia cực tím (UV) được gọi là chất cản quang (photoresist)
- Tiếp theo, phơi sáng wafer qua một mặt nạ có khuôn với nguồn sáng UV
Diện tích được ánh sáng chiếu vào trở nên bị polymer hóa và vùng này được giữ nguyên khi cho wafer vào máy rửa, vùng không có ánh sáng chiếu qua sẽ bị hòa tan và trôi đi. (Hoặc ngược lại diện tích lớp cản quang được chiếu sáng bị ăn mòn để tạo ra các khe rãnh có hình dạng theo khuôn như trong video).
- Wafer lại được nung đến 120-180 độ C trong 20 phút để tăng cường sự kết dính và cải thiện sự chịu đựng. Dùng HF (hydrofluoric acid) lấy đi bề mặt SiO2 không có bảo vệ bởi chất cản quang. Sau cùng chất cản quang còn lại được loại bỏ bằng dung dịch hóa học hay hệ thống plasma oxy.
3️⃣ Khuếch tán và cấy ion (ion implantation):
- Bề mặt bán dẫn được xử lý để tạo ra các vùng P và N. Khuếch tán là quá trình đưa nguyên tố pha tạp vào bán dẫn ở nhiệt độ cao, trong khi đó cấy ion là phương pháp sử dụng các ion có năng lượng cao để đưa vào vùng cần pha tạp.

- Sau khi khuếch tán hoặc cấy ion, wafer lại được nung để kích hoạt các nguyên tố pha tạp, giúp chúng khuếch tán vào trong cấu trúc tinh thể bán dẫn, tạo ra các vùng P và N với các đặc tính điện tử mong muốn.

4️⃣ Kim loại hóa (Metallization)
- Sau quá trình khuếch tán hay cấy ion, người ta dùng quá trình kim loại hóa để tạo nên các tiếp xúc Ohm và các kết nối. Các màng mỏng kim loại có thể được tạo nên bằng lắng đọng hơi vật lý và lắng đọng hơi hóa học (chemical v***r deposition=CVD).
- Một lần nữa người ta dùng quá trình quang khắc để định nghĩa tiếp xúc phía trước . Thực hiện kim loại hóa tương tự cho phần tiếp xúc phía sau không dùng quá trình quang khắc.
- Thông thường việc nung ủ nhiệt độ thấp (

[ - VẬT LÝ CHẤT RẮN]NGÀY 3: Chương 6 - NĂNG LƯỢNG CỦA ĐIỆN TỬ TRONG TRƯỜNG TUẦN CỦA TINH THỂ 1. Đối chiếu giữa các tính...
27/06/2024

[ - VẬT LÝ CHẤT RẮN]
NGÀY 3: Chương 6 - NĂNG LƯỢNG CỦA ĐIỆN TỬ TRONG TRƯỜNG TUẦN CỦA TINH THỂ
1. Đối chiếu giữa các tính chất của cấu trúc tinh thể và chuyển động (bất kỳ) xảy ra trong tinh thể😛
2. Khái quát những lý thuyết được sử dụng để tìm hiểu nguyên lý hình thành vùng năng lượng😛
- Phép gần đúng electron
-----------------------------------------------------------------------------
Mình quay trở lại rồi đây ><
Xin chào mọi người, tài liệu này do mình tự soạn dựa vào giáo trình, slide của các thầy cô và các nguồn tham khảo trên internet. Với mục đích ban đầu là tự ôn luyện và mình chia ra từng buổi đăng lên page này để theo dõi quá trình học của mình.

Vì vậy, nếu tài liệu có SAI sót hay cần góp ý thì nhờ quý thầy/cô/anh/chị và các bạn cmt hoặc nhắn cho em với ạ. Xin cảm ơn mọi người🥰

26/06/2024


[Cơ lượng tử 1] - Tài liệu mình tìm được của một anh khóa trước✨

[ - VẬT LÝ CHẤT RẮN]NGÀY 2: Chương 5 - Khí điện tử tự do trong kim loạiLÝ THUYẾT CỦA SOMMERFELD(đã sửa sai 🫰)
09/06/2024

[ - VẬT LÝ CHẤT RẮN]
NGÀY 2: Chương 5 - Khí điện tử tự do trong kim loại
LÝ THUYẾT CỦA SOMMERFELD

(đã sửa sai 🫰)

[ - VẬT LÝ CHẤT RẮN]NGÀY 1: Chương 5 - Khí điện tử tự do trong kim loạiLÝ THUYẾT CỔ ĐIỂN CỦA DRUDE
07/06/2024

[ - VẬT LÝ CHẤT RẮN]
NGÀY 1: Chương 5 - Khí điện tử tự do trong kim loại
LÝ THUYẾT CỔ ĐIỂN CỦA DRUDE

Address

Kí Túc Xá Khu B
Ho Chi Minh City
9999

Website

Alerts

Be the first to know and let us send you an email when Cậu sinh viên khoa lý Us tham vọng lương tháng chịu đô posts news and promotions. Your email address will not be used for any other purpose, and you can unsubscribe at any time.

Videos

[Cơ sở linh kiện bán dẫn] Fundamental of Semiconductor Devices #cslkbd_CVD CHUYỂN TIẾP PN (PN JUNCTION) Phần 1: Sự hình thành chuyển tiếp PN --------------------------------------- 📒Như ta đã biết chất bán dẫn pha tạp gồm có 2 loại: loại P (hạt tải đa số là lỗ trống) và loại N (hạt tải đa số là điện tử (electron)). Khi ghép hai loại bán dẫn này lại với nhau ta được một tiếp giáp P - N, đó chính là Diode, nếu ta nối hai Diode với nhau tạo ra hai tiếp P-N, N-P hoặc N-P, P-N ta thu được Transistor (bóng bán dẫn) là tiền đề cho sự phát triển của các thiết bị điện tử ngày nay. 💽Một trong những công nghệ chế tạo tiếp giáp P - N được gọi là Quang khắc (Lithography) được thực hiện theo các bước như sau: 1️⃣ Oxidation: Oxy hóa bề mặt tấm wafer (tấm Si), tạo ra một lớp SiO2 trên toàn bộ bề mặt wafer 2️⃣Lithography: - Sau khi tạo thành lớp SiO2, wafer được phủ bởi một vật liệu nhạy cảm với ánh sáng tia cực tím (UV) được gọi là chất cản quang (photoresist) - Tiếp theo, phơi sáng wafer qua một mặt nạ có khuôn với nguồn sáng UV Diện tích được ánh sáng chiếu vào trở nên bị polymer hóa và vùng này được giữ nguyên khi cho wafer vào máy rửa, vùng không có ánh sáng chiếu qua sẽ bị hòa tan và trôi đi. (Hoặc ngược lại diện tích lớp cản quang được chiếu sáng bị ăn mòn để tạo ra các khe rãnh có hình dạng theo khuôn như trong video). - Wafer lại được nung đến 120-180 độ C trong 20 phút để tăng cường sự kết dính và cải thiện sự chịu đựng. Dùng HF (hydrofluoric acid) lấy đi bề mặt SiO2 không có bảo vệ bởi chất cản quang. Sau cùng chất cản quang còn lại đượ

Shortcuts

Share

Category